تحلیل و شبیه سازی اثر دما در عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین
- نویسنده هادی الهویردی نوه سی
- استاد راهنما حامد باغبان کریم عباسیان
- سال انتشار 1393
چکیده
سلول های خورشیدی نسل سوم همچون سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی با هدف افزایش محسوس بازده تبدیل انرژی مورد توجه قرار گرفته اند. با چشم انداز استفاده از محبوس سازی انرژی توسط مواد مبتنی بر نانوساختارها یا نقاط کوانتومی، مفاهیم مختلف سلول های خورشیدی پا به عرصه ی وجود می گذارد. نقاط کوانتومی دارای پتانسیل تنظیم گاف نواری موثر از طریق محبوس سازی کوانتومی هستند. همچنین نقاط کوانتومی اجازه تولید ادوات بهینه شده پشته ای را در یک مرحله رشد در یک پروسه فیلم نازک فراهم می سازند. علیرغم تمام این ویژگیها افزایش دما در برخی موارد باعث کاهش راندمان سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی می شود. از دلایل این موضوع، اثر دما بر کاهش محصوریت حامل و نیز گاف انرژی و به دنبال آن ولتاژ مدار باز و جریان اتصال کوتاه است. در این پایان نامه ابتدا اثر دما بر روی عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی با مواد مختلف و با افزایش تعداد نقاط کوانتومی در بازه ی دمای بین ??? تا ???? درجه ی کلوین بررسی شده سپس با توجه به تاثیر دما، جهت جلوگیری از افت ولتاژ و راندمان? بهینه شرایط ممکن برای عملکرد سلول خورشیدی در دماهای بالا با مواد مناسب را مورد بررسی و پیشنهاد داده شده است.
منابع مشابه
حساس سازی همزمان سلولهای خورشیدی نقاط کوانتومی متشکل ازفوتوآند نانوبلوری TiO2 با نانوذرات CdS و PbS و بررسی تأثیر نقاط کوانتومی PbS بر عملکرد سلول خورشیدی
In this research, CdS and PbS quantum dots were applied as the light sensitizers in TiO2 based nanostructured solar cells. The PbS quantum dots could absorb a wide range of the sunlight spectrum on earth due to their low bandgap energy. As a result, the cell sensitization is more effective by application of both CdS and PbS quantum dots sensitizers. The TiO2 nanocrystals were synthesized throug...
متن کاملشبیه سازی و تحلیل مکانیسم انتقال الکترون در سلول خورشیدی حساس به نقاط کوانتومی
هدف ما بررسی جزئی تر مکانیسم انتقال الکترون از نقطه کوانتومی به اکسید فلز در سلول های خورشیدی حساس شده به نقاط کوانتومی برای رسیدن به بازده بالاتر می باشد و تاثیر عوامل مختلف بر روی آن، که تاکنون طبق بررسی های انجام شده مطالعات و کارهای کمتری شده است می باشد. در این تحقیق نرخ انتقال الکترون از سه نوع نقطه کوانتومی cdse، cds و cdte به سه نوع اکسید فلزی tio2، zno و sno2 با وارد کردن اثرات مختلف، ...
اثر پیری نقاط کوانتومی در سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلورهای cds وpbs
در این مقاله سلول های خورشیدی حساس شده با نانوبلور های سولفید فلزی cds و pbs رشد داده شده به روش شیمیایی silar ، ساخته و مشخصه یابی شدند. سلول های ساخته شده با این روش، در مجاورت نور و تاریکی در دوره های زمانی 2، 3، 6 و10 روز پس از ساخت مورد آزمایش های فوتوولتائیک مانند : آزمایش تعیین نمودار جریان- ولتاژ سلول در مجاورت نور و در تاریکی، آزمایش افت ولتاژ مدار باز سلول و آزمایش طیف نگاری امپدانس ا...
متن کاملطراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی بر مبنای چاه کوانتومی
در این مقاله، هدف بالابردن بازده سلول خورشیدی بر مبنای چاه کوانتومی است. ابتدا سلول خورشیدی سه پیوندی با ساختار شبیه سازی میشود. سپس ساختار چاه کوانتومی مناسب برای یک سلول تک اتصالی gaas معرفی می شود. با طراحی مناسب چاه کوانتومی برای سلول تک-پیوندی gaas، یعنی در کنار هم قرار دادن چاههای مرتفع و کم عمق و انتخاب مناسب مواد، جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز را میتوان افزایش داد. یافتههای ...
متن کاملبررسی عوامل افزایش بازده در سلول خورشیدی ناهمجنس با نقاط کوانتومی
ضخامت لایۀ نقاط کوانتومی و نیمهرسانای شفاف با شکاف بزرگ، میزان ناخالصی لایۀ نقاط کوانتومیو نوع فلز آند از جمله عوامل تأثیرگذار بر بازدهِ سلولهای خورشیدی نقطۀ کوانتومی ناهمجنس (HQDSC) میباشند. در این مقاله با استفاده از نرمافزار کامسول نسخه 4/5، ابتدا سلولی شامل یک لایه از نقاط کوانتومی سولفید سرب (PbS) پوشیده از لیگاندهای کوتاه و یک لایه نیمهرسانای اکسید روی (ZnO) و آندی از جنس طلا شبیهسا...
متن کاملطراحی و شبیه‌سازی سلول خورشیدی سه‌پیوندی بر مبنای چاه کوانتومی
In this paper, the purpose is to improve the efficiency of triple-junction solar cell by introducing quantum well into GaAs junction. Firstly, InGaP/GaAs/InGaAs triple-junctions solar cell has been simulated. Then, a multiple stepped quantum wells (MSQWs), in which InGaAs well is sandwiched by InGaAsP as stepped layer, and the barrier is GaAs, has been introduced into intrinsic region of single...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - دانشکده مهندسی فناوریهای نوین
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023